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Strain induced changes of electronic properties of B-site ordered double perovskite Sr$_2$CoIrO$_6$ thin films

机译:应变诱导B位有序双电子性质的变化   钙钛矿sr $ _ $ $ CoIrO $ _6美元薄片

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摘要

B-site ordered thin films of double perovskite Sr$_2$CoIrO$_6$ wereepitaxially grown by a metal-organic aerosol deposition technique on varioussubstrates, actuating different strain states. X-ray diffraction, transmissionelectron microscopy and polarized far-field Raman spectroscopy confirm thestrained epitaxial growth on all used substrates. Polarization dependent Co$L_{2,3}$ X-ray absorption spectroscopy reveals a change of the magnetic easyaxis of the antiferromagnetically ordered (high-spin) Co$^{3+}$ sublatticewithin the strain series. By reversing the applied strain direction fromtensile to compressive, the easy axis changes abruptly from in-plane toout-of-plane orientation. The low-temperature magnetoresistance changes itssign respectively and is described by a combination of weak anti-localizationand anisotropic magnetoresistance effects.
机译:通过金属有机气溶胶沉积技术在各种基底上外延生长了B位置有序钙钛矿Sr $ _2 $ CoIrO $ _- 6 $的薄膜,从而激活了不同的应变状态。 X射线衍射,透射电子显微镜和极化远场拉曼光谱证实了在所有使用的衬底上应变外延生长。极化相关的Co $ L_ {2,3} $ X射线吸收光谱揭示了应变系列中反铁磁有序(高旋转)Co $ ^ {3 +} $亚晶格的磁易轴的变化。通过将施加的应变方向从拉伸方向转变为压缩方向,易轴从平面内方向突然变化到平面外方向。低温磁阻分别改变其符号,并且通过弱的抗局部化和各向异性磁阻效应的组合来描述。

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